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次世代半導体製造向け 特性制御されたナノ粒子および多孔質薄膜
半導体製造がますます微細な寸法への移行とより先進的なパッケージングへと進み続ける中、業界はデバイスやパッケージの歩留まりを低下させるナノ粒子の検出・理解・除去に関する重大な課題に直面しています。
VSParticle社は、純粋なナノ粒子または合金ナノ粒子を生成・堆積させるドライプロセスを提供しており、これにより半導体業界のリーダー企業は、高コストな歩留まり損失を削減し、ナノ粒子および多孔質薄膜の活用を通じてイノベーションを推進できます。
半導体におけるナノスケール汚染の課題
チップの微細化が進むほど、清浄度と汚染管理の課題は増大します。半導体のスケーリング(微細化)の最前線では、粒子汚染、検査装置の検証、および洗浄プロセスが主要なボトルネックとなっています。
当社の技術は、特性が制御されたナノ粒子および調整可能なナノ多孔質層を提供することで、欠陥(ディフェクティビティ)、洗浄性能、キャリブレーション工程、および検査精度の研究・検証を行うための信頼性の高い参照ナノ材料の入手を可能にし、それによって性能向上を促進します。
計測および洗浄検証のための金属ナノ粒子の堆積
VSParticle社の特許技術であるスパークアブレーションは、超高純度で界面活性剤フリー(サーファクタントフリー)のナノ粒子を生成し、ポリマー層を含むあらゆる固体基板上に直接堆積させます。精密な粒径制御と表面被覆率を維持しながら、40種類以上の元素とその合金から粒子を生成できます。この能力により、実環境に近い汚染参照粒子、正確なキャリブレーション標準、および新しい材料組み合わせの迅速な探索が可能となります。これらはすべて、次世代半導体の開発に不可欠な要素です。
主要な機能
- 粒径選択性: 2 nm~200 nmの範囲で高純度粒子を生成
- 基板の柔軟性:ウェハー、レチクル、ペリクル、セラミックス、ポリマーなど、ほぼ全ての基板への堆積に対応。平面、非平面問わず利用可能
- 材料の柔軟性: スズ、亜鉛、ニッケル、金、炭素、鉛、シリコンなど、汚染、洗浄、先進材料研究に関連した金属、合金、半導体材料に対応
- ワンステップのドライプロセス: 添加材および液相溶媒を一切使用しない高純度粒子
- 表面被覆率の制御: まばらな粒子堆積から高多孔質薄膜まで


この図は、スズ(Sn)粒子を用いて得られた代表的な結果を示しています。当社は精密な粒径選択により、シャープな粒径分布(PSD: Particle Size Distribution) を達成しました。

主要な機能実験システムによる実証実験 (まばらな粒子堆積)
基板上への粒子被覆率は、粒子生成レートとプリンタースピードの調整によって制御されます。
SEM画像は、プリンタースピードを遅くすると粒子密度が高くなる一方で、スピードを上げると堆積する粒子の数が減少することを示しています。
左側のグラフは、このプリンタースピードと粒子密度間の逆相関を裏付けており、堆積時における表面被覆率を精密に調整制御できることを示しています。
半導体アプリケーション全域での価値創造
VSParticle社のナノテクノロジーは、次世代の半導体製造工場(Fab)、装置メーカー、およびR&Dチームが、ナノスケールでプロセスを探索、検証、最適化することを可能にする新しいテストおよび開発プラットフォームを提供します。
基礎研究
制御された高純度ナノ粒子により、半導体に関連した条件下での粒子挙動のモデル化と理解をサポート
センシング・アプリケーション
より高い感度、優れた選択性、低消費電力を実現した金属酸化物ガスセンサーの開発を可能に
キャリブレーションと検査
ナノ粒子を再現性高く生成し、計測および検査システムの性能検証とベンチマーク評価を実施
洗浄と汚染管理
実環境に近いナノスケールの汚染を再現し、粒子除去および表面回復に関する性能テストとベンチマーク評価を実施
材料探索
特性を制御しながらナノ多孔性金属層や合金構造を生成
VSParticleとのパートナーシップ
もし清浄度、汚染管理、キャリブレーション、あるいは先進材料開発における課題に取り組まれていましたら、当社の技術がお客様の進歩をいかに加速できるかを探りましょう。
📅 短時間の通話(ミーティング)を設定し、当社の技術がお客様のプロセスにおいて最大の効果を発揮できる領域をご確認ください。
日本国内代理店
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t: +81 044 853 2611
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